Scurt istoric al aplificatoarelor optice cu semiconductori

Scurt istoric al aplificatoarelor optice cu semiconductori

Primele studii privind amplificatoarele optice cu semiconductori s-au efectuat in jurul anului 1960 cand au aparut semiconductoarele laser. Aceste dispozitive s-au bazat pe homojonctiunile GaAs obtinute la temperaturi joase. Aparitia dispozitivelor cu heterostructura dubla a dus la investigatii suplimentare pentru folosirea amplificatoarelor optice cu semiconductori in sistemele optice de comunicatii. In 1970 a Zeidler si Personick au efectuat mai multe studii asupra aplificatoarelor optice cu semiconductori [7-8]. In anii 1980 au avut loc importante progrese in proiectarea si modelarea dispozitivelor cu amplificatoare optice cu semiconductori. Primele studii s-au concentrat pe amplificatoarele optice cu semiconductori cu AlGaAs care opereaza in gama 830 nm [9-10]. Pe la sfarsitul anilor 80 au aparut studii cu amplificatoare optice cu semiconductori cu InP / InGaAsP proiectate sa opereze in regiunea de 1,3 μm -1,55 μm [11].

Inainte de 1989, structurile SOA s-au bazat pe anti-reflexie. Aceste dispozitive acoperite cu diode laser au o structura asimetrica a ghidului de unda care sa duca la un cistig al polarizarii cat mai mare.

In 1989 SOAs au inceput sa fie concepute ca dispozitive de sine statatoare, cu utilizarea a mai multor structuri simetrice a ghidului de unda ducand la o polarizare sensitiv mai redusa [13].

De atunci, proiectarea si dezvoltarea SOA a progresat in tandem cu dezvoltarea materialelor semiconductoare, fabricarii dispozitivelor, a tehnologiei cu strat antireflexie, a circuitelor fotonice integrate, pana la momentul in care costul dispozitivelor a ajuns unul fiabil pentru folosirea lor in sistemele optice de comunicatii comerciale. Evolutiile in tehnologia SOA sunt in curs de desfasurare cu un real interes in aplicatiile functionale. Utilizarea de SOAs in circuitele fotonice integrate (PICs) atrage de asemenea un interes mare de cercatare.