Scrigroup - Documente si articole

Username / Parola inexistente      

Home Documente Upload Resurse Alte limbi doc  

CATEGORII DOCUMENTE





loading...

AeronauticaComunicatiiElectronica electricitateMerceologieTehnica mecanica


Tranzistorul bipolar: Ecuatii de functionare

Electronica electricitate

+ Font mai mare | - Font mai mic







DOCUMENTE SIMILARE

Trimite pe Messenger
Gruparea condensatoarelor
Regimul de functionare in scurtcircuit al transformatorului electric
Verificarea parametrilor unei instalatii de legare la pamant
Convertoare paralel
TERMINOLOGIE, CLASIFICARI SI ABREVIERI INSTALATII ELECTRICE
UNELE CONDITII PRIVIND ORGANIZAREA SISTEMULUI INTERN DE ALIMENTARE CU ENERGIE ELECTRICA A CONSUMATORILOR
Centralele electrice
Densitatea purtatorilor de sarcina intr-un semiconductor intrinsic
Masurarea rezistentelor de izolatie
FISA DE LUCRU - traductoare

Ecuatii de functionare

Ipoteze simplificatoare

- model unidimensional;



- concentratii constante de impuritati;

- grosimile zonelor neutre ale E si C >> lungimile de difuzie;

- nivele mici de injectie (conc. purtatori injectati << conc. maj.);

- se neglijeaza fenomenele de generare-recombinarev in regiunile de trecere;

- se presupune absenta altor agenti externi;

- tranzistor PNP in RAN;

- → se neglijeaza regiunea de trecere EB.

Conditii la limita (de tip Schokley):

Etapa I:

Se neglijeaza curentul de recombinare din baza → curentul de goluri din baza este constant →

sau:

Se integreaza:

cu condiiile:

(variatie liniara);

Se calculeaza: si rezulta:

sau:

Pentru RAN:

Semnificatia lui :

Se observa ca daca efect de modulatie a grosimii bazei (ceea ce duce la ideea de reactie interna in tranzistor).

Etapa II:

Se calculeaza curentul de recombinare pornind de la ecuatia de continuitate, in regim stationar:

sau:

Se integreaza pe toata lungimea bazei:

Dar:

Rezulta:




Rezulta:

Pentru RAN: .

Etapa III:

- curentul local de electroni la jonctiunea emitor-baza:

Etapa III:

- curentul propriu la jonctiunea colector-baza (ca la o jonctiune PN polarizata invers, dar cu zona P “subtire”→w):

(colectorul este dopat diferit cu impuritati in comparatie cu emitorul);

pentru RAN

(pentru s-a luat semnul corelat cu semnul curentului de colector).

Daca este aria sectiunilor transversale ale jonctiunilor, curentii vor fi:

Determinarea parametrilor tranzistorului:

a) factorul de injectie al emitorului (eficienta emitorului):

Dar:

Rezulta:

→ 1

- baza mai slab dopata decat emitorul,

- baza cat mai ingusta,

b) factorul de transport:

Rezulta, pentru RAN: → 1

Se observa:

- relatia fundamentala a tranzistorului.

este factorul de curent al tranzistorului in conexiunea BC. Valorile tipice sunt apropiate de 1 dar mai mici decat 1.



loading...







Politica de confidentialitate

DISTRIBUIE DOCUMENTUL

Comentarii


Vizualizari: 728
Importanta: rank

Comenteaza documentul:

Te rugam sa te autentifici sau sa iti faci cont pentru a putea comenta

Creaza cont nou

Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2019 . All rights reserved

Distribuie URL

Adauga cod HTML in site