Scrigroup - Documente si articole

     

HomeDocumenteUploadResurseAlte limbi doc
AeronauticaComunicatiiElectronica electricitateMerceologieTehnica mecanica


Parametrii de maxim interes

Electronica electricitate



+ Font mai mare | - Font mai mic



Parametrii de maxim interes

Transconductanta de semnal mic



   

pentru MOS cu canal N pentru MOS cu canal P

Se masoara in Amper/Volt2.

Mai putem vorbi si de un factor de castig:

Kn= K'n(Wn/Ln) - pentru canal N

Kp= K'p(Wp/Lp) - pentru canal P

Cred ca e si asta o transconductanta dar nu stiu de care:

Pentru canale scurte sau tensiuni drena-sursa mici aceasta transconductanta se poate aproxima cu 1.

Capacitatile jonctiunilor

unde Xd este distanta dintre drena si oxidul portii

Capacitatea dintre poarta si substrat

Capacitatea dintre grila si drena care este aceeasi capacitate dintre grila si sursa

Capacitatea dintre drena si (BODY) ..jonctiunilor PN

dintre drena si (BODY), si nu este liniara si dependenta de tensiune.

Cjo este (ZERO-BIASED) capacitatea jonctiunii pe unitatea de arie.

VD este tensiunea aplicata (BODY)

Vbi este potentialul jonctiunii de 0,64 V

m este panta diodei

NA si ND impuritatile donoare si acceptoare

Lungimea canalului:

Latime canalului:

Tensiunea de prag:

unde VTHO este tensiunea de prag a unui canal lung cand Vbs=0, K1 este primul coefcient BODY BIAS, ΦS este suprafata potentialului, Vbs este tensiunea BULK-sursa, K2 este al doilea coeficient BODY BIAS, ΔVtSCE efectu canalului scurt in Vt, ΔVtNULD este efectul dopajului lateral neuniform, ΔVtDIBL este efectul scazut de bariera al drenei al canalului scurt in Vt.

Cel mai important in tensiunea de preg este curentul "vagabond" Ioff care arata o dependenta exponentiala cu 1/Vt.O tensiune de prag mare duce la un curent Ioff mic.O tensiune de prag mica a tranzistoarelor MOS duce la un consum foarte mare a unui curent standby.

VTH=

r=

Mobilitatea: parametrul cel mai important este U0, mobilitatea electronilor si golurilor.Mobilitatea efectiva se reduce la cateva efecte:polarizarea BULK, tensiunea de poarta.

unde: UA este mobilitatea campului scazut (in m2/V-s).Este primul coeficient de scadere a mobilitatii (in m/V).

UC este coeficientul de scadere a mobilitatii in BODY-efect (in m/V2).

VFB este largimea benzii de tensiune (in V).Se calculeaza cu formula:

TOXE este grosimea oxidului (in m).

EU este coeficientul egal cu 1,67 pentru n-MOS si 1 pentru p-MOS

Vgsteff este o functie care se calculeaza cu :



Politica de confidentialitate | Termeni si conditii de utilizare



DISTRIBUIE DOCUMENTUL

Comentarii


Vizualizari: 925
Importanta: rank

Comenteaza documentul:

Te rugam sa te autentifici sau sa iti faci cont pentru a putea comenta

Creaza cont nou

Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2024 . All rights reserved