Scrigroup - Documente si articole

Username / Parola inexistente      

Home Documente Upload Resurse Alte limbi doc  

CATEGORII DOCUMENTE




loading...



AeronauticaComunicatiiElectronica electricitateMerceologieTehnica mecanica


Tranzistorul bipolar in regim variabil

Electronica electricitate

+ Font mai mare | - Font mai mic




Tranzistorul bipolar in regim variabil

Scopul lucrarii: se studiaza functionarea tranzistorului intr-un circuit de amplificator elementar (montaj cu emitorul la masa) la semnale mici si se determina dependenta principalilor parametri ai amplificatorului de impedanta de sarcina si frecventa.




Fig. 1

Amplificarea de tensiune , definita prin raportul va fi

(3.1)

Se constata ca, pentru , amplificarea de tensiune tinde la valoarea: , cea mai mare valoare ce se poate obtine teoretic cu un montaj de amplificator cu un tranzistor.

Pentru valori mici ale impedantei de sarcina se poate neglija termenul ZSDh fata de h11 si amplificarea de tensiune ramane proportionala cu impedanta de sarcina.

Deoarece S = h21/h11 (3.2) , S fiind panta tranzistorului, dependenta de PSF, pentru valori mici ale impedantei de sarcina, se poate scrie:

(3.3)

relatie care permite determinarea pantei tranzistorului.

Pentru schema electrica din Fig. 8, impedanta de sarcina a tranzistorului va fi formata din rezistenta RS, in paralel cu rezistenta RC, neceesara pentru polarizarea tranzistorului, astfel ca se va considera .

Determinarea amplificarii de tensiune se face prin masurarea tensiunilor U1 si U2 din Fig.1, aplicandu-se relatia:

(3.4)

Impedanta de intrare este putin dependenta de impedanta de sarcina, deoarece in relatia (3.5) termenii ZSh22 si ZSDh pot fi neglijati pentru valori uzuale ale ZS:

(3.5)

Pentru valori relativ mici ale ZS obtinem ZI = h11 (3.5), relatie care permite masurarea parametrului h11.

Pentru schema din Fig.8, impedanta de intrare masurata este influentata de circuitul de polarizare; in cazul utilizarii generatorului de curent de baza, avand in vedere impedanta de intrare nu prea mare a tranzistorului, se poate aprecia ca Zint=Zi.

Folosind relatia de definitie a impedantei de intrare: (3.6)

se obtine relatia de calcul : (3.7)

Amplificarea de curent se calculeaza cu relatia (in fig.1): (3.8)

si depinde de ZS numai pentru valori mari ale acesteia. Pentru valori mici ale impedantei de sarcina se obtine: (3.9)

Amplificarea de curent se determina tot cu montajul din Fig.2, cu relatia:

(3.10)

Impedanta de iesire este dependenta de impedanta generatorului de semnal, conform relatiei : (3.11)

Pentru valori mari ale rezistentei generatorului de semnal se obtine relatia aproximativa: (3.12)

relatie care permite determinarea parametrului h22 al tranzistorului considerat in conexiune emitor comun.

Masurarea impedantei de iesire se poate face cu schema din Fig.3, pentru care se deduce relatia: (3.13)

Aceasta metoda se poate aplica schemei din figura 8, in care R=RC, cu conditia ca intre bornele 2 si 3 ale circuitului sa se introduca o bobina de soc pentru a nu se scurtcircuita generatorul de semnal prin bateria de alimentare.

Impedanta de iesire a amplificatorului se poate determina cu schema din fig.4, in care se masoara tensiunea de iesire in gol U2, pentru RS ¥, respectiv in sarcina, U2, pentru RS=20kW, mentinand tensiunea generatorului de semnal constanta.

Se obtine: (3.14)

Impedanta de iesire astfel calculata va fi formata din impedanta de iesire din tranzistor, calculabila cu (3.11) in paralel cu rezistenta RC (fig 8), adica:

(3.15)

Masurarea parametrului h12 se face conform schemei din Fig.6, in care se aplica tensiunea U2 la iesire si se masoara tensiunea U1 de la intrare, in gol. Rezulta:

(3.16)

Valoarea maxima a tensiunii de iesire ce se obtine fara distorsiuni majore, este determinata atat de pozitia psf cit si de rezistenta de sarcina, asa cum se vede in Fig.6, unde, in planul caracteristicilor de iesire, se traseaza dreapta de functionare, cu panta determinata de RC si dreapta dinamica corespunzatoare impedantei de sarcina RC||RS.

Desfasurarea lucrarii:

Schema electrica a montajului este redata in Figura 8:

Se masoara dependenta de rezistenta de sarcina a amplificarii in tensiune, in curent si a impedantei de intrare. S-a aplicat la borna 4 a montajului un semnal de 1kHz cu valoarea eficace U1=100mV. Datele obtinute s-au centralizat in tabelul de mai jos:

Rs [KW

¥

Zs [KW

U1 [mV]




U2 [mV]

Valorile calculate sunt :

Au   

Ai   

¥

Zi [KW

Parametrii: h11 13.25 kW h21 340.9 S h21/h11 0.025

Reprezentarile AU(ZS) , AI(ZS) , ZI(ZS) sunt urmatoarele :

Avand la intrare (borna 6) un semnal sinusiodal de valoare maxima U2=2Vvv, s-a determinat la iesire (borna5, in gol) tensiunea U1=2mV.

Deci avem: h12 U2/U1ef 2.8284 x 10-4

Analog se determina h22 29 x 10-6 S.



loading...






Politica de confidentialitate

DISTRIBUIE DOCUMENTUL

Comentarii


Vizualizari: 508
Importanta: rank

Comenteaza documentul:

Te rugam sa te autentifici sau sa iti faci cont pentru a putea comenta

Creaza cont nou

Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2020 . All rights reserved

Distribuie URL

Adauga cod HTML in site