Scrigroup - Documente si articole

Username / Parola inexistente      

Home Documente Upload Resurse Alte limbi doc  

CATEGORII DOCUMENTE




loading...



AeronauticaComunicatiiElectronica electricitateMerceologieTehnica mecanica


Schema emitatorului telegrafic din sistemul ST3, tehnologia bazata pe Germaniu fiind inlocuita de tehnologia cu Siliciu

Electronica electricitate

+ Font mai mare | - Font mai mic








DOCUMENTE SIMILARE

Trimite pe Messenger
Osciloscoapele
Tutorial instalatii electrice-AX3000
Conectarea directa la reteaua de alimentare a motoarelor asincrone cu rotorul in scurtcircuit de constructie obisnuita sau speciala
CONECTORI
Blocul de ESANTIONARE (SAMPL)
PROCESUL DE MODULATIE. SEMNALE MODULATE
Masurarea rezistentelor prin metode de punte
Actionarea automata intermitenta a unui motor de CC
COMPORTAREA CALITATIVA A CIRCUITELOR LINIARE DE ORDINUL DOI
Calculul puterilor

1. TEMA PROIECTULUI

Sa se adapteze schema emitatorului telegrafic din sistemul ST3, tehnologia bazata pe Germaniu fiind inlocuita de tehnologia cu Siliciu.




2. BREVIAR DE CALCUL

Alegem tensiunea de iesire U=24V. Impedanta de iesire intre bornele 11, 12 este Z (data de R

Rezulta un curent in secundarul transformatorului TR



Puterea din secundarul de iesire al transformatorului TR este:

Randamentul transformatorului TR il alegem corespunzator valorii:

Puterea din primarul transformatorului TR rezulta din relatia:

Se considera un raport de transformare:

,

unde reprezinta numarul de spire al infasurarii primare, iar numarul de spire al infasurarii secundare.


Din relatiile corespunzatoare raportului de transformare avem:

(curentul din primar).

(tensiunea din primar)

Impedanta de intrare a infasurarii primare:


Se considera ca rezistentele infasurarilor sunt egale (). Rezulta astfel sistemul:

,

unde L reprezinta inductanta infasurarii primare, iar L corespunde infasurarii secundare.

Deoarece avem relatia dintre inductante si raportul de transformare:

,

se va inlocui in sistem.

Se considera modulele impedantelor:

Inductanta infasurarii primare este:


.


Alegem pentru transformator un miez de ferita moale de tip oalacu diametrul de 23 mm, avand constanta de material .

Dimensiunile acestei ferite sunt:

- d1 = 23 mm

- d2 = 18.7 mm

- d3 = 11.2 mm

- d4 = 5.7 mm

- h1 = 17.2 mm

- h2 = 11.9 mm

- a = 2.7 mm

- greutate: 11g

Fereastra utila este 9.9x3.9 mm.

Acestui tip de miez ii corespunde urmatoarea relatie de calcul a inductantei:

,

unde n este numarul de spire al infasurarii respective.

Rezulta numarul de spire din primarul transformatorului

Numarul de spire din secundar:

Numarul de spire pe strat este:


Rezistenta infasurarilor este:

Punctul static de functionare

Consideram tranzistorul bipolar de tip npn. Pentru un tranzistor aflat intr-un circuit electric, ne intereseaza sa determinan curentul de colector al tranzistorului Ic si tensiunea Uce dintre colector si emitor (respectiv Uec pentru pnp) in regim activ normal (RAN) atunci cand se cunosc parametrii ßo si Ube (respectiv Ueb pentru pnp). Marimile Ic si Uce formeaza coordonatele punctului static de functionare si se gasesc pe caracteristica statica de iesire in conexiune EC a tranzistorului, la intersectia cu dreapta statica de sarcina.

Caracteristica statica de iesire a unui tranzistor in

conexiunea EC

Pentru a calcula curentul de colector, vom scrie o ecuatie KII intre potentialele Vcc si masa, pe traseul care cuprinde baza si emitorul.

Caracteristi electrice pt Bc 177

Caracteristicile statice de iesire ale lui Bc 177

Se considera schema urmatoare, in care , iar


Schema devine astfel:


Valoarea curentului din emitorul tranzistorului este:

.

Tensiunile din emitor si din baza sunt:

Se considera teorema a II-a a lui Kirchhoff:

Ua –tensiunea de alimentare

UB – tensiunea din baza lui



- curentul din baza lui

Stiind ca , rezulta curentul din colector:

Factorul de amplificare are valoarea:

Alegem R5 = 4.7 kW de tip RPM 3100 / 1W, seria E12 (10%).

PR5 = R· I2 = 4.7 ·103 ·169· 10-6 = 0.79 W

Alegem R8 = 51 W de tip RPM3012 / 0.125W, seria E24 (5%).

PR8 = R· I2 = 50 ·1936· 10-6 = 0.097 W

Conform datelor obtinute se alege tranzistorul de tipul BC177, avand urmatoarele caracteristici:


Capsula TO-18 are urmatoarele dimensiuni (in mm):


Transformatorul mai contine doua infasurarii secundare identice avand numarul de infasurari:

Se alege

Stiind ca , rezulta:

.

Se recalculeaza valoarea condensatorului de acord :

Alegem C6 = 91 pF de tip ceramic 2222 424, (10%).

Transformatorul TR1 are doua infasurari, cea primara avand inductanta L1 =21mH. Se alege acelasi miez de ferita de tip oala, avand

Numarul de spire din primar este:

n1 = 145 sp

Numarul de spire din secundar este:

n2 = 73 sp

Se alege dioda Zener de tipul DZ9V1, avand IZM = 43 mA

Caracteristica unei diode Zener

Condensatorul C3 de acord are noua valoare:


Se alege C3 = 91pF de tip ceramic 2222 424, (10%).

Din ratiuni similare celor ce au condus la alegerea tranzistorului T2 , se alege T1 de tip BC177.

Luand in considerare faptul ca bSi bGe, rezulta un curent in baza tranzistorului T1 de 5 ori mai mic:


Tensiunea de la intrare este:

Uin = 36 V

Rezulta ca pentru realizarea acestui curent avem nevoie in baza lui T1 de rezistenta echivalenta:


Alegem potentiometrul P1 = 4.7 kW de tip CTP10, seria E12 (10%)

. Alegem rezistoarele R1 = R2 = 3.3 kW de tip RPM 3012 / 0.125W, seria E24 (5%).

PR1,R2 = R· I2 = 3.3 ·103 ·16· 10-6 = 52.8 mW

Rezistorul R3 = 10 W trebuie sa fie calibrat si il alegem de tip RPM 3012 / 0.125W, seria E96 (1%).

Dioda D1 o alegem de tipul 1N4001 avand caracteristicile de tensiune si curent:

- VRRM = 50V

- IFRM = 10A

- IFAVM = 1A

Se alege condensatorul C4 = 10 μF de tip electrolitic cu Al, 35V, seria EG6400 (20%).

Se alege condensatorul C7 = 47 μF de tip electrolitic cu Al, 35V, seria EG6400 (20%).

3. FIABILITATEA ECHIPAMENTULUI

Dupa caracteristicile lor, defectarile care determina durata de functionare a unui echipament, se impart in trei categorii principale:

a) Defectari intamplatoare a caror prevedere este, de obicei, imposibila. Studierea lor este dificila si se preteaza numai analizei statistice.

b) Degradarea (uzura), care duce, prin modificari relativ lente si monotone ale caracteristicilor elementelor, la iesirea din functiune a instalatiei. Se observa, ca uneori defectarile intempestive sunt rezultatul unui proces de degradare, ale carui efecte lent variabile nu au fost resimtite de echipament.

c) Defectari datorate exploatarii, care apar cand aparatura lucreaza in conditii de ambianta si regimuri de lucru care depatesc pe cele maxim admisibile sau cand este utilizata defectuos. Aparitia acestor defectari este imprevizibila, insa se pot lua masuri pentru micsorarea numarului lor.

ELEMENT

Nr. Elem.

kj min/elem

kj max/elem

kj min

total

kj max

total

1. Suduri cu fludor

58

0,2

0,3

11,6

17,4

2.Rezistente ceramice

10

0,3

1,33

3

13,3

3. Condensatoare ceramice

5

0,33

2,7

1,65

13,5

4. Condensatoare electrolitice

2

0,58

3,33

1,16

6,6

5. Bobine si transformatoare la nivel mic

6

1,1

1,5

6,6

9

6. Circuit imprimat 1 fata=1 dm2

1

1,2

2,4

1,2

2,4




7. Dioda Zener

1

1,0

7

1

7

8. Socluri conectoare simple

10

3,8

7,4

38

74

9. Potentiometru cu pelicula de C

1

7,2

12

7,2

12

10. Diode semiconductoare si tranzistoare la nivel mic

3

1,5

3,1

4,5

9,3

Total

97

75,91

164,56

kj = λ0j / λ0r

kj – coeficientul de comparatie

λ0j – intensitatea de defectare a componentei respective

λ0r – valoarea medie a intensitatii de defectare

Functia de fiabilitate:

o luna t=720h

3 luni t=2160h

6 luni t=4320h

12 luni t=8640h

4. NOMENCLATOR DE COMPONENTE

Simbol

Valoarea nominala si toleranta

Tip

R1

3.3 kΩ ±10%

RPM3012 /0.125W

R2

3.3 kΩ ±10%

RPM3012 /0.125W

R3

10 Ω ±1%

RPM3012 /0.125W

R4

100 Ω ±10%

RPM3012 /0.125W

R5

4.7 kΩ ±10%

RPM3100 /1W

R6

5.6 kΩ ±10%

RPM3025 /0.25W

R7

11 kΩ ±5%

RBA3002 /2W

R8

51 Ω ±5%

RPM3012 /0.125W

R9

1.8 kΩ ±10%

RPM3050 /0.2W

R10

620 Ω ±5%

RPM3100 /1W

C1

3830 pF ±2%

222 630 , ceramic

C2

3830 pF ±2%

222 630 , ceramic

C3

88.7 pF ±1%

222 632 , ceramic

C4

10 μF ±5%

222 030 / 40V

C5

1 μF ±10%

222 630 , ceramic

C6

93.1 pF ±1%

222 632 , ceramic

C7

51 μF ±5%

222 030 / 40V

T1

-

BC177

T2

-

BC177

P1

4.7 kΩ ±10%

CTP10

DZ1

9.1 V

DZ9V1

D1

-

1N4001



loading...






Politica de confidentialitate

DISTRIBUIE DOCUMENTUL

Comentarii


Vizualizari: 1026
Importanta: rank

Comenteaza documentul:

Te rugam sa te autentifici sau sa iti faci cont pentru a putea comenta

Creaza cont nou

Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2020 . All rights reserved

Distribuie URL

Adauga cod HTML in site