CATEGORII DOCUMENTE |
Aeronautica | Comunicatii | Electronica electricitate | Merceologie | Tehnica mecanica |
Tehnologii si sisteme de fabricatie specifice electromicii si electronicii
1 Tratamente de activare si refacere a retelei
Scopul tratamentului termic de
activare si refacere este de a localiza atomii de impuritate implantati in
pozitii substitutionale si a restabili ordinea in cristal intr-o masura cat mai mare fara a conduce la redistribuirea
impuritatilor in difuzie. Atat
tratamentele de activare cat si cele cu alte destinatii (oxidari, difuzii,
s.a.) se fac la temperaturi de peste
Restabilirea ordinii in cristatul
implantat incepe in jurul temperaturii de
Atat in timpul tratamentului de activare cat si a altor procese termice ulterioare, impuritatile implantate se redeistribuie inevitabil prin difuziune, asa cum se poate vedea in figura alaturata.
Spre deosebire de procesul de impurificare prin depunere, difuzia impuritatilor implantate este un proces complex, datorita defectelor produse de implantare, in special la doze mari. De obicei, difuzia atomilor implantati este mai rapida decat a celor introdusi prin depunere, coeficientul efectiv de difuziune putand creste de cateva ori.
In unele situatii din necesitati tehnologice sau pentru un control exact al parametrilor electrici al unor tipuri de tranzistoare se executa implantari multiple. De exemplu sunt cazuri cand inaintea procesului de dopare cu ionii impusi se procedeaza la o dopare cu enegie mare cu ioni ierti (Ar, Ne, Si, Sn), pentru amortzarea tintei-substantei ce urmeaza a fi dopata. Acest procedeu permite controlul profilului impuritatilor pe mai multe decade si activarea acestora la temperaturi joase ~ 60OC, sau obtinerea dupa redistribuire a unui profil adanc foarte plat prin superpozitia unor profile implantate succesiv cu doze si energii diferite.
O tehnica de activare deosebit de eficienta utilizata in special in tehnologia circuitelor MOS integrate pe scara mare este tratamentul rapid cu fascicule laser emise in impulsuri. Datorita incalzirii locale si pe durate foarte reduse, profilele implantate pot fi activate fara o redistribuire apreciabilia (lungimea de difuziune este de cativa A) putand fi realizata si activarea sau difuzia sclectiva a impuritalilor, numai pe anumite zone [2, 5].
Politica de confidentialitate | Termeni si conditii de utilizare |
Vizualizari: 1048
Importanta:
Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2024 . All rights reserved