Prezentarea traductorului de umiditate

Prezentarea traductorului de umiditate

In figura 13.59 este redata schema de principiu a traductorului realizat pe baza unui microsenzor chimic MOSFET.

1. Calculul si justificarea alegerii componentelor traductorului

Pentru structura MOSFET prezentata in figura 13.57 la variatia umiditatii intre 10% si 100%, ia valori intre 40 mV si 60 mV.

La frecvente joase amplificarea tranzistorului cu efect de camp din schema traductorului de umiditate are expresia:

(13.43)

Daca se alege , rezulta o panta , valoarea:

Tensiunea la iesirea senzorului ia valori in intervalul:

(13.44)

Se considera acceptabil si se impune ca acestui domeniu de valori sa-i corespunda o tensiune continua la iesirea traductorului cuprinsa intre 4V si 6V.

Apreciind pe dioda in conductie, o cadere de tensiune de , rezulta ca la iesirea operationalului este necesara o gama de valori .

Circuitul integrat este un amplificator care functioneaza in montaj neinversor si prezinta o amplificare:

(13.45)

Astfel daca si se obtine:

(13.46)

Pe baza relatiei: , pentru se deduce:

(13.47)

Reducerea erorilor de offset impune ceea ce se verifica pentru valorile adoptate.

Daca sursa de tensiune alternativa are frecventa fixa , pentru a reduce pulsatiile si a mentine la valoarea de

varf a tensiunii se respecta conditia:

(13.48)

Se alege . Pentru rezulta:

(13.49)

Se adopta valoarea: .