Scrigroup - Documente si articole

Username / Parola inexistente      

Home Documente Upload Resurse Alte limbi doc  

CATEGORII DOCUMENTE




loading...



AeronauticaComunicatiiElectronica electricitateMerceologieTehnica mecanica


Diode semiconductoare

Electronica electricitate

+ Font mai mare | - Font mai mic








DOCUMENTE SIMILARE

Trimite pe Messenger
DEFORMARE MAGNETICA - PROIECT
Amplificator de putere in clasa A
CONECTORI
UNDE ELECTROMAGNETICE - CAMP ELECTROMAGNETIC
LEGI DE CONSERVARE ALE CAMPULUI ELECTROMAGNETIC MACROSCOPIC - TEOREMA LUI POYNTING
FENOMENE BIOELECTRICE - Masurarea PR
Transformatorul de retea
Proiect - Schema electrica de comanda, protectie si semnalizare a unui motor electric asincron cu rotorul in scurtcircuit, cu pornire stea-triunghi (c
GPS: principii si aplicatii
SURSE SI RECEPTOARE DE LUMINA

Diode semiconductoare

In lucrare sunt masurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare, rezulatatele fiind comparate cu relatiile analitice teoretice. Este, de asemenea analizata comportarea diodelor in regim dinamic, semnal mic, joasa frecventa.




1) Caracteristicile statice. Polarizarea directa.

Dioda

k

Rk (kΩ)

ED (V)

VD (V)

ID (mA)

D1

1

0.026

15

0.41

561

1

0.026

20

0.7

742

2

0.1

20

0.38

196

2

0.1

11

0.33

107

3

1.5

11

0.18

7.2

4

10

11

0.14

1

5

100

11

0.08

0.1

6

1000

11

0.056

0.01

7

11

0.04

0

D2

3

1.5

11

0.64

7

4

10

11

0.58

1

5

100

11

0.46

0.1

6

1000

11

0.38

0.01

7

11

0.04

0

Plarizarea inverse.

Dioda

k

Rk (kΩ)

VR=-VD (V)

ED (V)

IR=-ID (mA)

D1

3

1.5

1

1.13

- 1.4

3

1.5

2

1.18

- 2.1

4

10

5

5.86

-1

4

10

10

11.19

- 2.1

5

100

20

38.9

- 0.6

6

1000

40

-57.45

Dioda a intrat in strapungere.

D2

4

10

1

1.09

- 0.2

4

10

2

2.07

- 0.4

5

100

5

5.04



- 0.1

5

100

10

10.09

- 0.2

6

1000

20

21.62

- 0.04

6

1000

40

44.5

- 0.08

Dioda stabilizatoare de tensiune (D3).

ED (V)

k

Rk (kΩ)

VZ (V)

IZ (V)

20

5

100

5.51

0.14

15

100

5.4

0.09

10

100

5.2

0.04

8

100

5

0.03

6

100

4.8

0.01

4

100

4

0

20

4

10

5.6

1.4

18

10

5.6

1.2

16

10

5.58

1

14

10

5.51

0.8

12

10

4.48

0.7

10

10

4.48

0.55

8

10

5.58

0.2

6

10

5.2

0.1

Rezistenta interna.

Dioda

k

Rk (kΩ)

n

Rsn (kΩ)

ED (V)

VD (V)

ID (mA)

Vs (mV)

Ri (masurat) (kΩ)

D1

3

1.5

4

1

11

5.43

3.7

337

1.06

4

10

4

1

11

5.43

0.55

70

1.01

D2

3

1.5

4

1

11

4.2

4.5

2844

3.1

4

10

3

1

11

4.2

0.7

2994

3.5

Dioda electroluminescenta (LED)

Se conecteaza la borna LED (D4) rezistenta R . Se creste tensiunea de alimentare ED de la zero pana la valoarea la care se observa aprinderea LED-ului. Se calculeaza curentul de prag de iluminare al LED-ului.

Ω este rezistenta inseriata cu LED-ul

.

ED = 2.1 V R3=1.5kΩ  IpLED= 0.24 mA

Prelucrarea datelor experimentale. Concluzii.

Caracteristicile statice

1. Cu ajutorul datelor din tabelul 1 trasati pe acelasi grafic, la scara liniara,

caracteristicile iD(vD), vD 0 pentru diodele D1 si D2 (iD=50 mA/cm, vD=0.1 V/cm)

2. Determinati pentru fiecare dioda (D1, D2) VP alegand IDM = 200 mA si

e = 0,01.

Vp1=0.46 V

Vp2=0.868 V

3. Explicati faptul ca, la curenti normali de utilizare, tensiunea directa pe

diodele cu siliciu este mai mare decat pe diodele cu germaniu.

Din masuratorile efectuale pe cele doua diode cu semiconductori diferiti Si si Ge se poate observa ca tensiunea directa, VD, este mai mare pentru diodele cu Si pentru ca acesta are o banda interzisa mai larga decit a Ge EG,Si = 1.12eV si EG,Ge= 0.67eV.

4. Cu ajutorul datelor din tabelul 1 trasati pe acelasi grafic lgiD(vD) pentru diodele D1, si D2 (lgiD=1 cm/decada, vD=0.1 V/cm)

5. Determinati pentru fiecare dioda I0, g si Rs .

I0 (mA)

g (V)

Rs (W)

D1

1.02

100

90

D2

1

150

200

6. Cu ajutorul datelor din tabelul 2 trasati pe acelasi grafic caracteristicile

iD(vD), vD< 0 pentru diodele D1 si D2 (iD=50 mA/cm, vD=0.1 V/cm)

7. Explicati de ce curentul de saturatie determinat din reprezentarea la scara

logaritmica a caracteristicii directe este mai mic decat curentul invers masurat.

In polarizare inversa curentul invers prin dioda poate sa nu depinda de tensiunea inversa aplicata (diode cu germaniu) sau sa creasca odata cu tensiunea (diode cu siliciu). La o anumita valoare a tensiunii inverse aplicate (tensiunea de stapungere) poate apare efectul Zener sau fenomenul de multiplicare in avalansa care se manifesta printr-o crestere abrupta a curentului.

Dioda stabilizatoare de tensiune

8. Cu datele din tabelul 3 trasati caracteristica iD(vD), vD 0 pentru dioda D3 (iD=50 mA/cm, vD=0.1 V/cm)

9. Determinati IZmin si RZ.

Rezistenta interna

10. Pentru valorile curentului ID din tabelul 4 calculati pentru D1 si D2

valoarea teoretica a rezistentei interne Ri(teoretic) cu relatia (1.11).

Dioda

k

n

Ri(theoretic) (kΩ)

D1

3

4

0.7

4

4

0.5

D2

3

4

2.6

4

3

1.8

11. Trasati pe acelasi grafic Ri(masurat)(ID) si Ri(teoretic)(ID) pentru diodele D1 si

D2.

12. Explicati eventualele neconcordante intre valorile masurate si cele teoretice.

Neconcordantele se datoreaza capacitatii parazite a diodei care introduce o rezistenta in plus, dar si erorilor de masura ale aparatelor si altor tipuri de erori care intervin in procesul de masurare.



loading...






Politica de confidentialitate

DISTRIBUIE DOCUMENTUL

Comentarii


Vizualizari: 665
Importanta: rank

Comenteaza documentul:

Te rugam sa te autentifici sau sa iti faci cont pentru a putea comenta

Creaza cont nou

Termeni si conditii de utilizare | Contact
© SCRIGROUP 2020 . All rights reserved

Distribuie URL

Adauga cod HTML in site